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【存储器】存储芯片领域 中国迎来打破美日韩垄断关键

来源: 2019/9/11 浏览量:205 关键词: 存储器 电子元件 半导体 电子元件 存储半导体

据香港媒体报道,紫光集团的子公司长江仓库宣布,已开始大规模生产基于其自主开发的Xtacking架构的64层3D NAND,容量为256Gb,以满足主流市场应用,如固态状态驱动器(SSD)嵌入式存储。需求方面,这是中国首款64层3D闪存芯片,它将中国与世界一线3D闪存公司之间的技术差距缩短至不到两年,并被视为中国打破垄断美国,日本和韩国。

据香港“大公报”近日报道,长江仓储官方网站消息,上海中国国际半导体博览会召开前夕,该公司宣布已开始批量生产64层“三阶存储单元”基于XtackingR架构的3D NAND闪存。作为中国首款64层3D NAND闪存,该产品将在Expo Purple Group的展位上亮相。

所谓的3D NAND是通过堆叠原始拼接存储单元来提供多层结构以提供容量,使得仅具有一层的存储单元被堆叠成64层或更多层。

缩短产品上市周期

据报道,长江存储64层3D闪存是世界上第一款基于Xtacking架构和批量生产的闪存产品,具有最高的存储密度。创新的Xtacking技术允许两个晶圆通过一个处理步骤通过数十亿个垂直互连通道(VIA)进行连接,与传统的3D闪存架构相比,传输速度更快,存储密度更高,产品发布周期更短。

 

长江仓储相关负责人告诉大公报,长江64层3D闪存产品的大规模生产将把中国与世界一线3D闪存公司之间的技术差距缩短到不足两年。

 

紫光集团联席总裁紫石静表示,在长江储存进入该领域之前,中国没有大规模的储存芯片生产。在未来,随着云计算和大数据的发展,人类对数据存储的要求越来越高。存储芯片是高端芯片的重要领域。它的大规模生产也标志着中国国际先进水平的一步,将中国产品和海外先进水平缩短到一代。

 

明年底月产六万片晶圆

据报道,内存芯片的竞争非常激烈,三星,海力士,东芝,西部数据,美光和英特尔等巨头继续投资生产能力。在2018年,64层和72层3D NAND闪存已经是主要产品。 2019年,将开始大规模生产92层和96层产品。到2020年,大型制造商将很快进入大规模生产的128层3D NAND闪存。

 

据业内人士分析,长江储存发展迅速,但目前保守。虽然尚未公布量产规模,但预计到2020年底,其产能将增加到每月60,000片。

 

据报道,长江大规模生产64层3D闪存产品有望将中国存储芯片的自产率从8%提高到40%。在美国,日本和韩国的垄断下,存储在长江中的64层3D NAND闪存量产新闻具有特殊意义。

 

业内人士预测,长江储存将跳过96层,并尽快进入128层3D闪存,以实现曲线的超车。据悉,长江存储已推出Xtacking2.0计划,以提高NAND吞吐率,提高系统级存储性能,并开放定制NAND新业务模式。相关产品将广泛应用于数据中心,企业服务器,个人电脑。和其他领域,如移动设备。

 

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