首页> 行业资讯> DRAM存储器开始进入EUV时代?

DRAM存储器开始进入EUV时代?

来源: 半导体行业视察 2019/9/25 浏览量:249 关键词: DRAM 存储器技术 存储器芯片 半导体

据国外媒体报道,据说目前没有在工艺技术中使用EUV技术的DRAM制造商现在正在DRAM价格稳步下降。在短期内,他们看不到生产成本的压力,也无法承受生产成本的压力。考虑引入EUV技术以降低生产成本。韩国三星将在2019年底之前正式推出。

 

该报告指出,为了应对半导体工艺的缩小,EUV设备和技术是可用的。使用EUV技术后,除了相同的工艺外,还可以增加晶体管密度,在相同频率下可以降低功耗,可以减少工艺,从而增加单位数量的输出,并且减少了掩模的量,从而降低了成本。 。但是,EUV设备很昂贵。过去,当DRAM价格居高不下时,DRAM制造商无法扩大生产能力。目前,他们没有考虑引入EUV技术的当前过程。但是,市场条件不如以前,导致观念发生了变化。

根据市场研究机构DRAMeXchange的研究数据,当前DRAM市场供过于求已导致价格持续下跌。在这方面,尽管DRAM工厂试图减少产量,但仍不能使价格停止下降。因此,维持盈利能力的唯一方法是通过使过程最小化来降低单位生产成本。然而,DRAM工艺变得越来越难以前进到1纳米技术的突破,可以有效降低DRAM的生产成本。

 

根据该报告,由于上述原因,韩国三星预计将于2019年11月开始使用EUV技术进行1z纳米DRAM的批量生产。在批量生产之初,它将与三星代工厂共享EUV设备。尽管初始使用量不大,但并不大。这等于DRAM光刻将开始朝EUV方向发展的声明。至于SK海力士和美光,也表示在现阶段,将评估引入EUV技术的需求。在这方面,业界期望可以实际引入。

该报告进一步指出,三星的1z纳米属于第三代10nm工艺,而10nm工艺不是10nm工艺,但是由于20nm工艺节点之后的DRAM工艺升级,因此DRAM工艺很困难。线宽度量不再那么精确,因此存在工艺节点,例如1x纳米,1y纳米和1z纳米。简而言之,1x纳米工艺相当于16至19纳米,1y纳米工艺相当于14至16纳米,1z纳米工艺约为12至14纳米。

随着先进工艺采用EUV光刻技术,出现了趋势。在台积电2019年第二季度,采用EUV技术的7纳米增强工艺已批量生产,在客户定单之后,竞争对手的三星代工厂也使用了EUV。英特尔预计将生产7纳米工艺,并将在2021年大规模生产7纳米工艺中首次引入EUV技术。随着该工艺继续发展到5 nm或3 nm节点,对EUV的需求将不断增加。有望增加,并且EUV设备将成为半导体军备竞赛中必不可少的项目。

本文仅代表作者观点。

半导体芯片供应商-深圳市联诠电子科技有限公司http://www.lantsuen.com

下一篇:

FPGA会取代CPU吗?一篇文章揭示了FPGA的现状和未来