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莱迪思发布首款SOI的FPGA产品,AI芯片发展后续看俏

来源: 2020/2/11 浏览量:135 关键词: 莱迪思 FPGA

AI芯片设计大厂莱迪思半导体(Lattice Semiconductor),基于本身Nexus技术平台,发布全球首颗以FD-SOI组件制作的FPGA(现场可程序化逻辑门数组)产品,期望借由SOI基板自身的低功耗特性,以及结合FPGA组件可程序化的设计理念,进一步应用于工业、通信及汽车等相关领域。

因FD-SOI低功耗及高性能等特性,莱迪思开发出全球第一款FPGA产品

由于SOI基板本身结构优势,于硅材料中央夹入一层SiO2氧化层为绝缘用途,使该基板所制组件拥有高性能及低功耗等特色,这点对于必须使用大量运算能力的AI芯片(如FPGA、Edge边缘运算及MCU微处理器等)而言,即可有效满足相关产品特性与市场需求。

其中,本次莱迪思推出的全球第一款由FD-SOI组件制成的FPGA产品,除了将目光聚焦于可支持多数AI应用场景,更进一步强调产品由于本身使用的SOI基板技术,使整体组件表现在AI芯片运算及嵌入式视觉技术,可发挥更好的低功耗及高运算效果,这也使该FPGA组件于平行处理技术,由于制作使用的基板差异,于平行架构的数据处理效率及推理速率,相较传统硅组件,整体表现均获得明显改善。

各家AI芯片商相继投入SOI技术,IoT物联网及数据处理发展后续看俏

凭借低功耗、高性能及高性价比等特性,FD-SOI组件广泛应用于AI领域,目前有许多IDM大厂(如意法半导体、瑞萨电子等)、制造代工厂(如格芯、X-Fab等)及少数芯片设计大厂(如莱迪思)相继投入。

为求设计及制造出较低功耗的FD-SOI组件,除莱迪思首发的FPGA产品,瑞萨电子进一步以FD-SOI组件为基础,发展出SOTB(Silicon on Thin Buried Oxide)结构,期望通过添加额外的基板偏压电极(Substrate Bias Electrode)于组件,借此达到节能省电效果,以因应如MCU微处理器等AI应用领域的市场需求。

由上述相关情形得知,FD-SOI组件及延伸之SOTB结构,已逐渐渗透到现行AI芯片市场,且相关组件凭借于本身高性能及低功耗等半导体特性,未来将有机会逐步拓展至IoT物联网及数据处理等应用领域。


高性能及低功耗AI芯片结构示意图。


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